“模拟电路建模及数模混合电路的快速仿真”线上技术分享会 顺利举行

2020年5月27日,中关村芯园(北京国家“芯火”创新基地)与北京欧普兰科技共同主办的“模拟电路建模及数模混合电路的快速仿真——Scientific analog高效设计流程”线上技术分享会通过腾讯视频平台顺利举行。本次活动共有来自集成电路设计企业、科研院所等120余位专业技术人员参与了技术分享。  

  本次培训中,欧普兰科技资深工程师李琎先生就SystemVerilog建模、Xmode和Modelze软件平台的快速仿真解决方案作解说分享,独具特色的Xmodel即用systemverilog语言,采用革命性的专利算法,将模拟电路波形描述成函数表达式,并用事件驱动的方式完成高效计算。中科院微电子所廖启文博士则以XMODEL、GLISTER,XWAVE、MODELZEN在芯片设计流程、适用范围、具体应用过程中遇到的问题及实际案例等方面为大家进行了详细的演示。参会者对建模精度对比选择、软件操作方法等方面进行了提问、讨论,线上沟通气氛活跃。  

 

北京欧普兰科技有限公司

北京欧普兰科技有限公司是中国仿真软件领域快速成长的软件企业,公司致力于引进欧美先进科技成果,结合国内实践,为客户提供先进的CAE/EDA 软硬件产品,并提供专业的技术支持及工程咨询服务,协助客户提升产品质量、缩短研发周期、降低研发成本,立志为我国由生产大国向技术创新大国迈进贡献自己的力量。

代理EDA产品:PeakView射频IC电磁场上设计软件、OPTENNI天线匹配设计与自动优化软件、Scientific Analog、Matlab 等

关于中关村芯园(北京)有限公司

中关村芯园公司由中关村发展集团作为控股股东组建,作为国家集成电路设计北京产业化基地。中关村芯园将秉承开放、中立、公益的服务理念,围绕集成电路设计,提供EDA License租赁、IP评估与授权、生产流片(MPW、工程批、批量生产)、封装测试代理、IC人才培训、芯片应用等全产业链的公共技术服务支撑,助力企业快速发展。中关村芯园将定期举办各类技术交流研讨会,诚邀芯园的所有合作伙伴、客户参与,共谋发展。

​科普:什么是WiFi 6

最新一代的Wi-Fi(称为Wi-Fi 6)带来了一些显著的性能改进,旨在解决老一代的限制。尽管已经通过802.11ax 认证的芯片提供了大量路由器和客户端,但Wi-Fi 6才刚刚开始推广。它将在2020年9月成为IEEE正式规范的一部分。这将迎来一波更新的设备浪潮,吹捧新的无线功能,这些功能将为下一代网络带来更快的速度和更少的拥塞。 在深入探讨之前,我们必须强调一下,802.11ax(也称为“高效无线”)与Wi-Fi 6是同一个东西,这一点很重要。但如果说起来,Wi-Fi 6比802.11ax更容易。 这是Wi-Fi联盟制定的新命名标准,以前的几代人现在被称为Wi-Fi 5(802.11ac)和Wi-Fi 4(802.11n)。预计该标签约定将出现在设备上,如下所示。 从技术上讲,Wi-Fi 6的单用户数据速率比802.11ac快37%,但更重要的是,更新的规范将在拥挤的网络环境中为每位用户提供四倍的吞吐量,并且具有更高的电源效率。应该可以延长设备的电池寿命。

为了实现这些改进,802.11ax进行了各种更改,包括从蜂窝行业借用的几种多用户技术,即MU-MIMO和OFDMA,这些技术通过实现更多同时连接和频谱吞吐量的使用,而大大提高了网络的容量和性能。 升级其硬件的家庭用户可以期待这些技术的改进,尤其是随着时间的推移,随着每户家庭设备数量的增加——一些估计表明,到2022年,每户家庭将有多达50个节点。 虽然Wi-Fi 6并非旨在显着提高下载速度,但随着区域中设备数量的增加,这些新功能将真正发挥作用。它具有更细致入微的方法,有望随着时间的推移带来搬迁收益。这最终将为即将到来的智能基础架构(例如,物联网设备)上预期的节点数量奠定基础。除了解决因物联网推出而出现的大量设备和网络部署重叠覆盖的问题外,Wi-Fi 6还可以满足不断增长的对多用户数据速率的需求。

总体而言,Wi-Fi 6建立在802.11ac之上,根据最初提出的建议,会有50多个更新,但并非所有最终功能都包含在最终规范中。 以下是Wi-Fi 6的主要优点:

  • 为超高清和虚拟现实流提供的更高的每用户总带宽
  • 支持更多同时数据流,并提高了吞吐量
  • 总频谱更多(2.4GHz和5GHz,最终频带在1GHz和6GHz)
  • 所述频谱分为更多的信道,以实现更多的通信路径
  • 数据包包含更多数据,网络可以一次处理不同的数据流
  • 在接入点的最大范围内提高了性能(多达4倍)
  • 在室外和多路径(杂乱)环境中更好的性能/鲁棒性
  • 能够从接收效果较差的蜂窝网络中分流无线流量

802.11n与802.11ac与802.11ax

802.11ac(也就是WiFi 5)在2013年进行了标准化。虽然该规范在很大程度上适合当今的典型家庭使用,但它仅使用5GHz频谱的频段,缺乏多用户技术水平这将支持越来越多的设备同时连接。 作为Wi-Fi 6中即将发生的变化的参考,以下是802.11ac(Wi-Fi 5)在802.11n(Wi-Fi 4)上扩展的内容:

  • 较宽的频道(80MHz或160MHz,而5GHz频段中最大为40MHz)
  • 八个空间流(spatial streams ),而不是四个
  • 256-QAM与64-QAM调制(每个QAM符号传输更多位)
  • 802.11ac Wave 2上的多用户MIMO(MU-MIMO),一次可实现四个下行链路连接,而不是单用户MIMO上仅一个(上行链路仍为1×1)

该规范与以前的标准一样向后兼容,合并了2.4GHz和5GHz,并最终扩展了该频谱,使其在可用时包括1GHz和6GHz频段。 可能比将这些附加频谱包含进来更值得注意的是将这一带宽投入使用的技术。有了更多可用频谱,Wi-Fi 6可以将带宽划分为更窄(更多)的子信道,从而为客户端和接入点创建更多的通信渠道,并支持任何给定网络上的其他设备。在较旧的802.11n中,由于重叠太多,您基本上只能同时使用3个独立的通道。由于每个人的路由器都在互相竞争,这使公寓等拥挤的地方变得一团糟。802.11ac在5GHz频带中增加了额外的空间,但是802.11ax在处理此问题方面做得更好。 另一个需要考虑的领域是单个网络上的多设备性能。这就是所谓的多输入多输出,它允许单个设备一次通过多个通道进行通信。基本上就像将多个无线适配器连接到同一网络一样。在接入点端的扩展称为MU-MIMO或多用户MIMO。顾名思义,它允许接入点通过MIMO一次连接到多个用户。 尽管MU-MIMO可以使Wi-Fi 5一次为下游的四个用户提供服务(相对于Wi-Fi 4上的单用户MIMO而言有很大的改进),但此功能不是必需的,仅在较新的802.11ac设备中才添加。在纸面上,802.11ax可以将上行和下行链路的用户数增加到8个,并有可能向单个客户端交付四个同时的流。 但是,上行链路MU-MIMO不太可能使用。当前几乎没有任何设备可以从四个空间流中受益,因为大多数现有的配备MU-MIMO的智能手机和笔记本电脑只有2×2:2或3×3:3 MIMO无线电,因此几乎没有Wi-Fi 6支持的八个空间流。

此数字格式(AxB:C)用于演示MIMO无线电支持的最大发送天线(A),最大接收天线(B)和最大空间数据流(C)。虽然Wi-Fi设备必须支持MU-MIMO才能直接从该技术中受益,但是不带MU-MIMO芯片的硬件应间接受益于启用MU-MIMO的接入点上可用的额外广播时间。 为了帮助您可视化这些技术,MU-MIMO和OFDMA的组合可以等同于拥有许多职员和多条线路,而每个职员能够一次为多个客户提供服务,而不是一个职员单独为单个客户服务。此外,802.11ax可以在路由器可用时更清楚地通知客户端,而不是让它们争用访问权限。

尽管Wi-Fi 6的总体数据速率和信道宽度与Wi-Fi 5相似,但根据已更新的规范实施了数十种技术,这些技术将显着提高未来Wi-Fi网络的效率和吞吐量,这可能会为数十种Wi-Fi网络服务在单个通道上以每秒几千兆的速度传输设备。我们现在将讨论其中的一些。 OFDMA:Wi-Fi 6还引入了对上行和下行链路“正交频分多址”(OFDMA)的支持,该调制方案等效于OFDM的多用户版本(802.11ac / n规范)。OFDMA通过一次允许多达30个用户共享一个信道来减少延迟,提高容量并提高效率。请勿将此与正交频分复用(OFDM)混淆。 OFDMA允许在给定的带宽中更好地分配资源单元。集成在Wi-Fi 6中,因此更多的客户端(多达30个)可以共享同一信道而不是等待,同时还可以通过组合不同的流量类型来提高效率。OFDMA被比较为OFDM的多用户版本。 为了简化起见,OFDM将信道分成几个子载波,从而允许多个并行数据流。但是,每个用户必须使用其完整的子载波。另一方面,OFDMA将其进一步细分为可以单独分配的资源单元。这种细粒度的分配是OFDMA性能优势的关键。

1024-QAM:下一个重大性能改进是从256-QAM跃升至1024-QAM。当无线设备传输消息时,它必须发出模拟信号,因为无法直接传输二进制数据。该模拟信号有两个部分,分别称为振幅(信号的强度)和正交(信号从参考点偏移了多少)。通过控制正交和幅度,我们可以通过模拟信号有效地传输数字数据。 802.11ac中使用的256-QAM系统将幅度和正交分为16个预定义级别。这总共提供了256(16 * 16)个可能的传输值,并且每次传输最多允许8位(2 ^ 8 = 256)。自从引入802.11ac以来,发送器和接收器技术有了长足的进步,因此我们现在能够为传输分配更精确的值。802.11ax可以将传输的正交和幅度划分为16个可能的值,而不是将其划分为多达32个级别。这为我们提供了1024(32 * 32)个可能的传输值,每次传输最多10位。 当然,随着我们将越来越多的数据打包到相同数量的资源中,我们的灵敏度和准确性也必须提高。256-QAM信号的接收中的小错误可能不会引起问题,但是由于1024-QAM将符号打包得更近,因此同一错误可能会导致解码不正确的值。设备足够智能,可以知道如果许多传输被不正确地解码,则应将其降至较低的方案。 使用80MHz信道,1024-QAM可以产生600Mb / s的理论单流数据速率,这比Wi-Fi 5的理论433Mb / s单流数据速率高39%。

更长的OFDM符号:将OFDM符号的传输时间从Wi-Fi 5上的3.2us增加到Wi-Fi 6上的12.8us,并为每个符号支持更长的循环前缀(cyclic prefix:CP)。 循环前缀(CP)将OFDM符号结尾的一部分添加到有效负载的前面,以提供一个防止符号间干扰的保护间隔并提高鲁棒性,因为可以在必要时使用此部分。该数字可以根据开销要求进行调整(较长的CP会重复更多的数据,并在符号中占用更多的空间,从而导致较低的数据速率)。

动态分段(Dynamic fragmentation):Wi-Fi 5具有静态分段,这要求数据包的所有分段都具有相同的大小(最后一个分段除外),而动态分段允许这些分段具有不同的大小,以便更好地利用网络资源。 空间频率复用/ OBSS(BSS着色):如果多个接入点在同一信道上运行,则它们可以传输带有唯一“颜色”标识符的数据,从而使它们可以同时通过无线介质进行通信,而无需等待颜色使它们能够区分彼此的数据。

波束成形:这存在于Wi-Fi 5上,尽管该标准支持四个天线,而Wi-Fi 6却将其增加到八个。波束成形通过将信号定向到特定的客户端而不是同时在每个方向上定向,从而提高了数据速率并扩展了范围。这有助于MU-MIMO,它不适用于快速移动的设备。可以在Wi-Fi 4设备上进行波束成形,但随着Wi-Fi 5 Wave 2上MU-MIMO的实现,波束成形成为必要。在一个新的方向。 TWT(目标唤醒时间):唤醒时间调度,而不是基于竞争的访问。路由器可以告诉客户端何时入睡以及何时醒来,这预计会大大延长电池寿命,因为设备会知道何时收听频道。

上行资源调度程序:同样,Wi-Fi 6不会像在较旧的无线网络上那样用户争相上传数据,而是调度上行链路以最大程度地减少冲突,从而实现更好的资源管理。每个人都有自己的发言空间,因此没有人需要大声喊叫或与他人交谈。 基于触发器的随机访问:还可以通过在其他属性中指定上行链路窗口的长度来减少数据冲突/冲突,这些属性可以改善资源分配并提高效率。 TWO NAVs(网络分配向量):无线站正在传输时,它会通告完成所需的持续时间,以便其他站可以设置其NAV以避免访问无线介质时发生冲突。Wi-Fi 6引入了两种NAV:一种用于站点所属的网络,另一种用于邻近的网络。这还将通过最小化对载波侦听的需求来减少能耗。 改进的室外操作:这些功能中的一些功能将带来更好的室外性能,包括新的数据包格式,更长的保护间隔和模式,以改善冗余和错误恢复。

Wi-Fi 6E:将Wi-Fi 6扩展到包括6GHz

Wi-Fi 6E是对现有Wi-Fi 6标准的新扩展的名称,表示它能够支持全新的6 GHz频率。这将增加频谱,更高的吞吐量和更低的延迟。 高通等行业领导者确定,未来网络上适当的服务质量将需要的频谱超出2.4GHz或5GHz所能提供的范围。长期以来,2.4GHz频段已被诸如微波之类的常见电子设备所饱和。另一种选择是5GHz,它的频谱不足以用于更宽的带宽信道(例如80MHz或160MHz),并且5GHz的某些部分受到限制以限制其使用的限制。 2020年初,美国联邦通信委员会(FCC)正式批准了Wi-Fi,将其覆盖范围扩展到美国6 GHz频段的新无线电频谱。具体来说,新的Wi-Fi 6E标准将可访问1.2 GHz或1200 MHz的无线电频谱,范围从5.9 GHz到7.1 GHz(并在其之间合并所有6 GHz频率,因此也包含6 GHz参考)。 标准Wi-Fi面临频谱短缺的问题,因为如果全世界使用的设备数量不断增加并且6GHz的增加将有助于缓解这一问题。一旦允许,6GHz将促进Wi-Fi的持续增长,以及其他优势,例如更宽的信道大小以及更少的来自传统Wi-Fi 4(802.11n)和Wi-Fi 5设备的干扰。分析师预测批准将触发设备制造商对该频段的快速采用。 从新的频谱来看,即使毫米波5G的最宽连接(现有最快的5G连接)也被限制在800 MHz。换句话说,新的Wi-Fi连接可以访问的频率几乎是最快的5G连接的1.5倍。 从理论上讲,这意味着Wi-Fi 6E的连接速度可能比5G所能提供的最高速度明显快得多。另外,由于物理和信号传播的基本规律,Wi-Fi 6E的覆盖范围实际上可以比毫米波5G宽。 Wi-Fi 6E的影响力将在高度拥挤的地区真正发挥作用。路由器将具有更宽的通道,可以以更高的吞吐率容纳更多的设备。 Wi-Fi 6或802.11ax只是为满足不同类型设备将要满足的各种网络需求而开发的众多即将到来的无线标准之一。802.11ad / ay将通过使用毫米波频率带来数千兆位的速度。相反,802.11ah专为超低功耗而设计,可能会导致几年的电池寿命。

总结:Wi-Fi 6的空中视野

作为接替802.11n和802.11ac的下一个WLAN标准,802.11ax或Wi-Fi 6将为人口密集的中心带来网络效率和容量的显着提高,峰值数据速率将得到适度的提高,在整个数据中心将得到更好的维持。一次增加设备。 就像高通公司喜欢说的那样,“问题不在于Wi-Fi能走多快,而在于Wi-Fi网络是否具有足够的容量来满足对许多不同的连接设备和服务的不断增长的需求。”

当前没有很多Wi-Fi 6客户端,因此采用尚需时日。直到更多的设备使用该标准,才能真正感受到这一代的改进。像往常一样,Wi-Fi 6向后兼容,但较旧的设备将无法利用较新的功能。 从更广泛的角度考虑Wi-Fi 6,随着对用户数据的需求不断增加,多用户支持的增加,尤其是同时上行连接的增加已经到来。这些数据将从物联网设备中收集,并用于机器学习,推动人工智能发展,整个技术的未来以及不断发展的数字经济等目的。

毫米波:华为预研6G的主方向,带来哪些产业机会?

5G、6G的核心技术——毫米波

5G通信相比以往4G通信的优势有很多,最直观的无疑是“高速率传输”。已知5G的传输速度将提高4G的10倍甚至100倍,那么6G的理论下载速度将有望达到5G的100倍,也就是每秒1TB!从4G到5G再到6G,为何传输速度能实现成百倍级的提升呢?这背后涉及一个关键技术:毫米波(mmWave)。

在移动通讯发展的几十年以来,最为常用的频段是6GHz以下的Frequency range 1(FR1),频率范围是450MHz到6GHz,俗称为厘米波。直到5G网络的全面覆盖,人们对于带宽提出更高的要求,通信频段必然向“高速率传输”的方向延伸。根据3GPP 协议,5G NR支持两大频段:一是6GHz以下的FR1,二是24.25GHz至52.6GHz频率范围的Frequency range 2(FR2)。因为FR2波长已经缩小至毫米级,所以称之为毫米波频段。

相较于6GHz以下频段,毫米波频段拥有丰富的频谱资源,在载波带宽上具有巨大优势,可实现400MHz和800MHz的大带宽传输,通过不同运营商之间的共建共享,实现超高速率的数据传输。同时,毫米波波长短,所需元器件尺寸较小,便于设备产品的集成化和小型化,符合当下终端市场的主流需求。因此从2019年开始,毫米波技术逐渐登上民用市场的舞台中心,承担起提供更优质网络的重任。

全球厘米波和毫米波波段部署

图片来源:Qorvo官网

实际上,毫米波通讯技术过去主要应用在军工领域,是一类使用短波长电磁波的特殊雷达技术。得益于5G、6G通讯的快速迭代,毫米波才得以打开民用市场,成为全球通信产业的一大发展方向。2019年伊始,毫米波相关的产品及政策讯息频传,技术进展速度超过预期。甚至连华为创始人任正非也为该技术“站台”,他曾公开表示:“华为在5G技术方面的成功,是因为押中厘米波;而6G的毫米波是大方向!”

值得一提的是,华为在毫米波技术的布局时间更早。2017年6月第三届东京湾全球5G峰会期间,华为联合NTT DOCOMO首次完成基于3GPP 5G新空口的39GHz高频技术测试,实现了三方实时4K高清视频会议。2018 年2 月,华为和加拿大运营商Telus在温哥华测试28GHz系统,提供固定无线宽带接入业务。同年10月,华为就打通了全球首个基于3GPP的5G毫米波商用Firstcall,这标志着基于3GPP的5G毫米波网络与相关产业链已成熟,中国的5G毫米波应用开始扬帆起航。2019年8月,华为展示了使用折叠屏手机HUAWEI Mate X通过毫米波技术与基站通信在线播放4K高清视频,是全球首家使用折叠屏手机在真实网络环境下打通5G毫米波端到端通信的厂家。

来到2020年中旬,关于6G毫米波布局的好消息纷至沓来。近期,华为中国运营商业务部副总裁杨涛公开透露,华为已经在参与6G相关预研工作,已预研6G以用毫米波段为主,正处于场景挖掘和技术寻找阶段。据华为预计,在2030年的时候,将会出现一些6G方面的使用情况,目前华为也在积极地参与这方面的工作。

不过,目前5G毫米波的技术布局仍有许多瓶颈,需要通信龙头企业带领其本土供应链一起突围。例如,毫米波技术的落地应用仍面临频谱规划、国产高频器件产业能力、系统测试方案等众多亟待解决的问题和技术挑战,都是毫米波产业必须攻破的技术瓶颈。

多国押宝毫米波,竞争格局基本成型

5G商用将在2020年迎来高峰,6G预研也已提上日程,提前布局毫米波技术的上下游产业链公司或迎来机遇。

从现阶段的5G毫米波格局来看,美国、韩国、日本等国家已陆续完成5G毫米波频谱的划分与拍卖,5G商业部署前景明朗,产业链较为集中。他们在毫米波部署初期,大多数的国家将注意力都集中在26GHz和28GHz这两个频段上,在这两个频段上投入的资源也是最多的。

与此同时,包括美国的Verizon、T-Mobile,日本NTT,韩国KT在内的多个运营商已经在本土开始测试和应用毫米波5G系统,取得积极进展。例如2018年1月,美国T-Mobile、Nokia和Intel也在华盛顿测试28GHz高频系统,主要将高频通信用于向用户提供固定无线宽带接入业务;又例如2018年2月,韩国电信(KT)在平昌东奥会上实现28GHz的5G网络应用,采用是北美运营商的V5G系统,等等。

至于中国,通信行业也开始从系统应用角度考虑5G毫米波部署和应用问题。去年中国移动曾透露,已完成5G毫米波关键技术的验证,计划在2020年实现5G毫米波的商用部署。但坦白地说,国内目前相关研究还比较分散,尚未形成明确的5G毫米波移动通信系统应用方向和部署方案。其阻力主要来自三方面:

1. 中国毫米波频谱规划尚未明确,需要政府尽快明确毫米波频谱规划,加速毫米波产业链发展。

2. 我国5G毫米波产业链成熟度落后于5G低频,也落后于美国、欧洲等国际先进水平。表现在毫米波设备形态单一、功能和性能尚不满足5G组网需求,以及5G毫米波芯片和终端型号较少、覆盖种类和形态不够丰富这两个方面。其中,阻碍因素主要来自于高频器件,主要包括:高速高精度的数模及模数转换芯片、高频功率放大器、低噪声放大器、滤波器、集成封装天线等等。

3. 低成本、高可靠性的封装及测试等技术短缺。传统移动通信射频测试是以传导测试为主,而5G毫米波测试只能采用以暗室环境下的OTA测试方法。目前,测试场地成本、测试效率以及测试准确度等都是OTA测试方案需要考虑并给出解决方案的问题。

尽管整体产业起步较晚,但中国5G毫米波产业逐步迎头赶上,有望开启一个巨大的增量市场。去年底产业咨询公司TMG预计,到2034年在中国使用毫米波频段所带来的经济受益将产生约1040亿美元的效应,这大约占亚太地区毫米波频段预估贡献值(预计将达2120亿美元)的一半。

若具体到细分的垂直行业,制造业和水电等公用事业的贡献度最大,占贡献总数的62%;其次是专业服务和金融服务,占12%;信息通信和贸易,占10%;然后是农业和矿业,最后是公共服务。长远来看,随着5G毫米波的使用不断增长,这种经济优势加上5G毫米波的众多潜在工业应用,将为垂直行业对GDP的重大影响做出贡献。

对此,推动毫米波产业本土化进程已经迫在眉睫。有业者表示,移动通信行业亟需运营商发布明确信号,提出5G毫米波新空口系统未来的整体需求,明确设备、终端的开发计划,推动毫米波产业链成熟化进程,为未来部署做好准备。

盘点:5G毫米波的产业链

从产业链的角度来看,毫米波产业链由设备厂商、芯片厂商、终端厂商、天线厂商、垂直行业等部分构成。下表格罗列了部分代表企业:

1.毫米波设备

从技术角度来看,毫米波基带部分与5G低频段设备具有相同成熟度,但是射频相关的功能和性能较5G低频段设备有较大差距。主设备方面,由于目前北美和日韩已经开始部署毫米波系统,所以厂家设备频段以北美和日韩频段为主。设备可以支持基本功能,但是部分功能如波束管理、移动性等有待进一步完善。代表企业有:爱立信、诺基亚、中兴等厂家。

从数据来看,带宽和峰值速率方面,毫米波设备应支持200MHz、400MHz单载波能力,应支持多载波聚合,总带宽800MHz的能力。毫米波设备应支持64QAM 和256QAM调制方式,系统峰值传输速率应达到10Gbps以上。

此外,设备需要提供灵活部署能力。相对于sub 6G设备,毫米波元器件的尺寸更小,单位面积可以部署更多的天线阵子或者毫米设备更容易小型化。设备需要进行优化设计,减小微站和微AAU单元设备体积,进行美化设计便于隐蔽部署,提供多种方式的供电方案和回传方案。

2.芯片

至于芯片,虽然全球范围内各大芯片厂商已经发布5G 毫米波相关产品,但进度总体上落后于设备,主要集中在研发、测试阶段,实际商用仍在推进中。

据不完全统计,市面上已有多款与毫米波技术相关的5G芯片。英特尔(Intel)于2017年11月发布了XMM 8060 5G多模基带芯片,该芯片同时支持6GHz 以下频段和28GHz毫米波频段。高通已经能够提供商用的毫米波终端芯片X50和X55,天线模组QTM525。

至于高通的第二代5G NR调制解调器——骁龙X55 5G调制解调器,是一款7纳米单芯片,支持5G到2G多模,还支持5G NR毫米波和6 GHz以下频谱频段。其中,全新的射频前端解决方案包括QTM525 5G毫米波天线模组,可支持厚度不到8毫米的纤薄5G智能手机设计。目前全球已有20家OEM厂商开展相关产品研发,全球18家运营商也正在利用X50 5G调制解调器进行移动试验。

2019年初,美国联邦通信委员会(FCC)已经对摩托罗拉公司发布的5G模块进行了认证。该5G模块配备了接近传感器,其功能是在用户脸部靠近手机之前,关闭4个毫米波天线模块,减少辐射对用户的影响;此外,如果接近传感器检测到手指挡住天线,该5G模块将加强天线功率,实现更好地接收5G信号。

至于国内企业,由于和而泰的子公司铖昌科技是国内微波毫米波T/R芯片领域,除少数国防研究所之外掌握核心技术的民营企业,在国内具有较强的技术稀缺性,不仅在数据接口那里能补全,另外也能拓展一些高端的应用。

3.天线

大规模天线技术(Massive MIMO)和波束赋形技术是毫米波系统的关键技术之一,因此来自天线行业同样值得关注。

通俗来讲,天线就是一根具有指定长度的导线,因此它可以制造在PCB和FPC上。而由于设备的小型化和便携化,留给天线的设计空间已经很小,因此目前主流的方案就是使用FPC制造天线,即可折叠式天线。可折叠式天线就是由软板制成,可以弯曲成任意的形状,从而应对人们对便携设备尺寸和设计的更高要求。

由于毫米波波长的大幅度减小,带来的问题是电磁波绕射能力变差,衰减变得异常明显。因此为了改善衰减,提高传输速度,5G技术中将会采用MIMO多天线技术、beamforming波束赋形、以及空间分级复用等技术。

4.终端

不少业者预测。5G手机将带动第一波毫米波产品的终端消费浪潮。

在商用终端方面,OPPO/VIVO/ZTE都曾预计2019年底将推出X55芯片样机终端,商用终端预计2020年出现。而苹果公司已经在秘密展开毫米波技术的研究应用,其支持毫米波的5G版 iPhone将在2020年12月或2021年1月推出,比普通版(支持Sub-6G频段5G)至少晚三个月时间,足见毫米波技术商用的复杂程度。

还有消息称,台积电拿到了苹果5G天线封装订单,而且专门针对5G毫米波系统集成。

不管以上多款手机能否如期推出,但这一系列消息都给关注5G毫米波应用的业者带来了小小的惊喜。

中国联通认为,面对丰富多样的5G毫米波应用场景,特别是园区专网场景,毫米波终端应根据专网业务需求进行定制。根据5G毫米波应用场景,毫米波终端包括公网专网混合终端、专网功能终端、定制化CPE,具体要求如下:公网专网混合终端,与5G终端融合设计,支持多模多频,支持5G高低频双联接和5G毫米波载波聚合能力。支持专网APP 应用。终端其他能力需求与当前公网终端相同。

5.场景应用

5G毫米波的垂直应用场景丰富多样,无论是个人终端消费,还是工业制造业、医疗健康等市场,都还将催生大量应用。这些创新包括增强型远距医疗和教育、工业自动化、虚拟和扩增实境等等。

医疗方面,远距离医疗可以通过毫米波频谱支持的速度和低延迟功能,达到更精准、快速的水平。包括感知网络功能、利用永远保持连接的远距传感器和穿戴式装置提升预防医学,以及远距手术和“智能”仪器。

而在工业制造领域,新一代机械人、远距物体操纵(远距离精确控制机器)、无人机及数字化工业中心的其他实时控制应用可望提高效率、降低成本、增强安全性,同时带来产品和工艺创新。这是提升目前制造业智慧化水平参差不齐的有效手段之一。

自动驾驶运输方面,5G毫米波将让无人驾驶车彼此之间,以及与云端和实体环境通讯,从而建立高效率的公共交通网络。未来,这些及许多其他创新使用案例预计将占5G创造的总体价值的25%。

此外,在企业及产业的角度来看,室内、园区、码头等场景具有业务本地化属性强、用户接入数量大、流量集中突发性强的特点。毫米波技术提供的高速率大容量特点,将大幅度提升空口速率,对4K、8K、AR、VR、云游戏等大视频类场景有巨大的提升,快速建立端到端业务,避免画面卡顿和眩晕感。结合边缘云技术,可将视频和虚拟场景缓存到本地,快速建立环境与场景,减少业务巨大流量对运营商网络的冲击和压力,适合于本地化缓存类业务。

值得提议的是,在毫米波通信技术产业应用推进过程中,供应商应充分考虑实际应用场景特点,对毫米波传播特性进行有效建模和系统链路评估,制定符合实际场景需求的毫米波应用部署方案。

本文综合自“蓝海长青智库”,原标题《毫米波:华为预研6G的主方向,带来哪些产业机会?》

从华为P40看5G终端射频及天线发展趋势

众所周知,华为一直在不断追求自主创新,并取得了一个又一个技术成果。华为P40系列新机发布后引发很多讨论,根据拆解发现,华为P40的元器件主要采购自中国大陆、中国台湾地区、韩国、日本等地,不过高通、Qorvo和Skyworks等美国厂商仍提供必要的射频(RF)组件,而美光的NAND Flash似乎已被三星的NAND Flash取代。

华为P40系列搭载的麒麟990 5G SoC芯片是目前覆盖频段最全的5G SoC之一,还搭载自研Wi-Fi 6+智能手机芯片麒麟W650,是首个支持华为Wi-Fi 6+的机型系列,支持160MHz带宽,峰值速率高达2.4Gbps,是业界同期水平的2倍。

拆解华为P40:只剩射频组件来自美国


Wi-Fi方面用上了海思自己的Hi1105,支持Wi-Fi 6

射频前端来自Qorvo和Skyworks,不过收发器和功放来自海思。

射频前端模块是手机的关键部件,是拨打电话和连接网络所必须的零件。射频前端是直接与天线连接的元器件,直接影响手机的无线信号接收和信号放大、过滤功能。

手机等设备要求终端能够同时支持六种CA技术,然而现有的手机中不能同时很好的支持六种乃至更多可能存在组合的CA技术,其设计不够灵活。

解析华为射频通路技术

为了解决这个问题,华为在14年2月27日申请了一项名为“射频通路”的发明专利(申请号:201410069708.2),申请人为华为技术有限公司。

根据目前公开的专利资料,让我们一起来看看这项射频技术吧。

 

 

 

如上图为射频通路的结构示意图,它可以为主集接收通路或者分集接收通路,主集接收主要功能为将主集天线接收的射频信号解调为模拟基带信号,分集接收主要功能为将分集天线接收的射频信号解调为模拟基带信号。

该射频通路包括第一天线(ANT1)、低噪声放大器(LNA)、功分器(PS)、两个第一单刀多掷开关(SPNT11和SPNT12)、四个第一滤波器(FT11、FT12、FT13和FT14)和两个第一无线射频芯片(RFIC1和RFIC2)。

那么这些器件的功能都分别是什么呢?天线接收时从无线信道中接收射频信号,发射时将射频信号辐射到无线信道中;低噪声放大器可以放大接收的射频信号的功率,降低射频通路的噪声系数,提高接收灵敏度指标;功分器将射频信号的功率平均分为两路;功率放大器可以放大射频信号功率;无线射频集成电路可以根据RFIC内部寄存器配置的不同,将射频信号变为模拟基带信号或将模拟基带信号变为射频信号。

其中四个滤波器都分别对应一个滤波频段,天线接收到射频信号后,就将射频信号传输到低噪声放大器中,低噪声放大器可以放大这种射频信号,经过放大后的射频信号会传输到功分器,功分器将射频信号分为两路并且将两路信号分别传输到两个单刀多掷开关。

单刀多掷开关就相当于是控制射频信号的通断,如果通过的就将射频信号通过到滤波器中,滤波器将会对接收到的射频信号进行滤波,最后经过这样处理信号就会来到无线射频芯片中,芯片会对信号进行解调。

 

 

 

除了射频通路以外,还有接收通路,这两个通路就构成了射频前端,射频前端是靠近天线部分的设备,如上图所示为射频前端的结构示意图,其目的是保证有用的射频信号能完整不失真地从空间拾取出来并输送给后级的变频、中频放大等电路。

如上图所示,该射频前端包括主集接收通路PRX,分集接收通路DRX以及发射通路TX。其中,主集接收通路PRX和发射通路TX通过环形器CL连接,分集接收通路DRX的结构与我们上面介绍过的射频通路的结构类似。

以上就是华为发明的射频通路,这样的射频通路除了可以满足六种CA技术之外,还支持FDD+TDD频带间CA射频信号技术,通过功分器将接收到的射频信号分为两路,两路信号传送到四个滤波器中,使得该射频通路可以支持多种组合的CA技术,提高了射频通路的灵活性。【嘉德点评】

未来5G终端射频天线发展趋势

P40系列均搭载“四曲满溢屏”,在屏幕的四周都做了弧度的处理,同时对手机边框进一步收窄,这些处理让正面视觉效果更好。此设计大大提升了天线设计难度,据国盛电子团队《一张图看懂看P40核心公司名单》显示,P40系列终端射频天线解决方案分别来自硕贝德和信维。其中天线支架所用LDS材料则来自工程塑料专业厂商中塑。近来年,随着5G通信的兴起,终端射频天线及其材料的革新也是突飞猛进,其发展趋势及显著特点表现如下:

1、微天线及稳定信号功能日益增强

随着移动通信从2G、3G、4G 到5G的不断发展,移动通信天线也经历了从单极化天线、双极化天线到智能天线、MIMO天线乃至大规模阵列天线的发展历程,天线的数量增多,且尺寸也越来越小,及至控制在4厘米以内常用的通讯频段。

P40天线支架在原有的4G网络增强到5G时代,天线数量增多且天线设计位置更小,对材料要求更为严格,故P40天线选用PC作为基材的LDS功能性材料,此款材料或将为P40天线稳定性提供了有力的保障,且使5G在高频段、增益方面得到管控。

2、需具备高流动性

形态的轻薄化、结构的小巧化是未来手机设计的趋势。相比绝大部分5G手机来说,P40系列手机外形更轻更薄、内置天线信号参数也更稳定,故增大了天线结构设计难度。

同时P40系列采用了Insertmolding工艺,又对结构增加了注塑的难度。因此,P40系列天线部分需要采用高流动性、且结合力强的材料。其不仅解决了局部0.2mm结构要求,而且能够与不同材质弹片相结合。

3、抗应力开裂

手机轻薄化趋势,导致材料在手机支架天线中的应用要求也越来越高。P40结构采用了Insertmolding工艺,且形成薄壁结构特性,在选用PC作为基材的同时,开裂问题又不可避免地给结构带来了困扰。

综上所述,随着5G时代的真正到来,外观更轻薄、结构更复杂、材料非金属化等都将加大手机射频天线设计的难度,在此情况下,选择功能性更强、质量更优的材料或将成为5G终端决胜的关键点之一。以LDS材料为主5G终端射频天线解决方案将成为主流。

整理自:集微网、中塑新材料等

国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》

日前,国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》(以下简称《若干政策》)。

《若干政策》强调,集成电路产业和软件产业是信息产业的核心,是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。国务院印发《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》以来,我国集成电路产业和软件产业快速发展,有力支撑了国家信息化建设,促进了国民经济和社会持续健康发展。

《若干政策》提出,为进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境,深化产业国际合作,提升产业创新能力和发展质量,制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面政策措施。进一步创新体制机制,鼓励集成电路产业和软件产业发展,大力培育集成电路领域和软件领域企业。加强集成电路和软件专业建设,加快推进集成电路一级学科设置,支持产教融合发展。严格落实知识产权保护制度,加大集成电路和软件知识产权侵权违法行为惩治力度。推动产业集聚发展,规范产业市场秩序,积极开展国际合作。

《若干政策》明确,凡在中国境内设立的集成电路企业和软件企业,不分所有制性质,均可按规定享受相关政策。鼓励和倡导集成电路产业和软件产业全球合作,积极为各类市场主体在华投资兴业营造市场化、法治化、国际化的营商环境。

《若干政策》要求,各部门、各地方要尽快制定具体配套政策,加快政策落地,确保取得实效,推动我国集成电路产业和软件产业实现高质量发展。

文件原文
国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知
国发〔2020〕8号
各省、自治区、直辖市人民政府,国务院各部委、各直属机构:现将《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》印发给你们,请认真贯彻落实。国务院

2020年7月27日

(此件公开发布)

新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策
集成电路产业和软件产业是信息产业的核心,是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。《国务院关于印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2000〕18号)、《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2011〕4号)印发以来,我国集成电路产业和软件产业快速发展,有力支撑了国家信息化建设,促进了国民经济和社会持续健康发展。为进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境,深化产业国际合作,提升产业创新能力和发展质量,制定以下政策。

一、财税政策
(一)国家鼓励的集成电路线宽小于28纳米(含),且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目,第一年至第十年免征企业所得税。国家鼓励的集成电路线宽小于65纳米(含),且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目,第一年至第五年免征企业所得税,第六年至第十年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。国家鼓励的集成电路线宽小于130纳米(含),且经营期在10年以上的集成电路生产企业或项目,第一年至第二年免征企业所得税,第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。国家鼓励的线宽小于130纳米(含)的集成电路生产企业纳税年度发生的亏损,准予向以后年度结转,总结转年限最长不得超过10年。对于按照集成电路生产企业享受税收优惠政策的,优惠期自获利年度起计算;对于按照集成电路生产项目享受税收优惠政策的,优惠期自项目取得第一笔生产经营收入所属纳税年度起计算。国家鼓励的集成电路生产企业或项目清单由国家发展改革委、工业和信息化部会同相关部门制定。(二)国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业,自获利年度起,第一年至第二年免征企业所得税,第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业条件由工业和信息化部会同相关部门制定。

(三)国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业,自获利年度起,第一年至第五年免征企业所得税,接续年度减按10%的税率征收企业所得税。国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业清单由国家发展改革委、工业和信息化部会同相关部门制定。

(四)国家对集成电路企业或项目、软件企业实施的所得税优惠政策条件和范围,根据产业技术进步情况进行动态调整。集成电路设计企业、软件企业在本政策实施以前年度的企业所得税,按照国发〔2011〕4号文件明确的企业所得税“两免三减半”优惠政策执行。

(五)继续实施集成电路企业和软件企业增值税优惠政策。

(六)在一定时期内,集成电路线宽小于65纳米(含)的逻辑电路、存储器生产企业,以及线宽小于0.25微米(含)的特色工艺集成电路生产企业(含掩模版、8英寸及以上硅片生产企业)进口自用生产性原材料、消耗品,净化室专用建筑材料、配套系统和集成电路生产设备零配件,免征进口关税;集成电路线宽小于0.5微米(含)的化合物集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用生产性原材料、消耗品,免征进口关税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。企业清单、免税商品清单分别由国家发展改革委、工业和信息化部会同相关部门制定。

(七)在一定时期内,国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业,以及第(六)条中的集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用设备,及按照合同随设备进口的技术(含软件)及配套件、备件,除相关不予免税的进口商品目录所列商品外,免征进口关税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。

(八)在一定时期内,对集成电路重大项目进口新设备,准予分期缴纳进口环节增值税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。

二、投融资政策
(九)加强对集成电路重大项目建设的服务和指导,有序引导和规范集成电路产业发展秩序,做好规划布局,强化风险提示,避免低水平重复建设。(十)鼓励和支持集成电路企业、软件企业加强资源整合,对企业按照市场化原则进行的重组并购,国务院有关部门和地方政府要积极支持引导,不得设置法律法规政策以外的各种形式的限制条件。(十一)充分利用国家和地方现有的政府投资基金支持集成电路产业和软件产业发展,鼓励社会资本按照市场化原则,多渠道筹资,设立投资基金,提高基金市场化水平。

(十二)鼓励地方政府建立贷款风险补偿机制,支持集成电路企业、软件企业通过知识产权质押融资、股权质押融资、应收账款质押融资、供应链金融、科技及知识产权保险等手段获得商业贷款。充分发挥融资担保机构作用,积极为集成电路和软件领域小微企业提供各种形式的融资担保服务。

(十三)鼓励商业性金融机构进一步改善金融服务,加大对集成电路产业和软件产业的中长期贷款支持力度,积极创新适合集成电路产业和软件产业发展的信贷产品,在风险可控、商业可持续的前提下,加大对重大项目的金融支持力度;引导保险资金开展股权投资;支持银行理财公司、保险、信托等非银行金融机构发起设立专门性资管产品。

(十四)大力支持符合条件的集成电路企业和软件企业在境内外上市融资,加快境内上市审核流程,符合企业会计准则相关条件的研发支出可作资本化处理。鼓励支持符合条件的企业在科创板、创业板上市融资,通畅相关企业原始股东的退出渠道。通过不同层次的资本市场为不同发展阶段的集成电路企业和软件企业提供股权融资、股权转让等服务,拓展直接融资渠道,提高直接融资比重。

(十五)鼓励符合条件的集成电路企业和软件企业发行企业债券、公司债券、短期融资券和中期票据等,拓宽企业融资渠道,支持企业通过中长期债券等方式从债券市场筹集资金。

三、研究开发政策
(十六)聚焦高端芯片、集成电路装备和工艺技术、集成电路关键材料、集成电路设计工具、基础软件、工业软件、应用软件的关键核心技术研发,不断探索构建社会主义市场经济条件下关键核心技术攻关新型举国体制。科技部、国家发展改革委、工业和信息化部等部门做好有关工作的组织实施,积极利用国家重点研发计划、国家科技重大专项等给予支持。(十七)在先进存储、先进计算、先进制造、高端封装测试、关键装备材料、新一代半导体技术等领域,结合行业特点推动各类创新平台建设。科技部、国家发展改革委、工业和信息化部等部门优先支持相关创新平台实施研发项目。(十八)鼓励软件企业执行软件质量、信息安全、开发管理等国家标准。加强集成电路标准化组织建设,完善标准体系,加强标准验证,提升研发能力。提高集成电路和软件质量,增强行业竞争力。

四、进出口政策
(十九)在一定时期内,国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业需要临时进口的自用设备(包括开发测试设备)、软硬件环境、样机及部件、元器件,符合规定的可办理暂时进境货物海关手续,其进口税收按照现行法规执行。(二十)对软件企业与国外资信等级较高的企业签订的软件出口合同,金融机构可按照独立审贷和风险可控的原则提供融资和保险支持。(二十一)推动集成电路、软件和信息技术服务出口,大力发展国际服务外包业务,支持企业建立境外营销网络。商务部会同相关部门与重点国家和地区建立长效合作机制,采取综合措施为企业拓展新兴市场创造条件。

五、人才政策
(二十二)进一步加强高校集成电路和软件专业建设,加快推进集成电路一级学科设置工作,紧密结合产业发展需求及时调整课程设置、教学计划和教学方式,努力培养复合型、实用型的高水平人才。加强集成电路和软件专业师资队伍、教学实验室和实习实训基地建设。教育部会同相关部门加强督促和指导。(二十三)鼓励有条件的高校采取与集成电路企业合作的方式,加快推进示范性微电子学院建设。优先建设培育集成电路领域产教融合型企业。纳入产教融合型企业建设培育范围内的试点企业,兴办职业教育的投资符合规定的,可按投资额30%的比例,抵免该企业当年应缴纳的教育费附加和地方教育附加。鼓励社会相关产业投资基金加大投入,支持高校联合企业开展集成电路人才培养专项资源库建设。支持示范性微电子学院和特色化示范性软件学院与国际知名大学、跨国公司合作,引进国外师资和优质资源,联合培养集成电路和软件人才。(二十四)鼓励地方按照国家有关规定表彰和奖励在集成电路和软件领域作出杰出贡献的高端人才,以及高水平工程师和研发设计人员,完善股权激励机制。通过相关人才项目,加大力度引进顶尖专家和优秀人才及团队。在产业集聚区或相关产业集群中优先探索引进集成电路和软件人才的相关政策。制定并落实集成电路和软件人才引进和培训年度计划,推动国家集成电路和软件人才国际培训基地建设,重点加强急需紧缺专业人才中长期培训。

(二十五)加强行业自律,引导集成电路和软件人才合理有序流动,避免恶性竞争。

六、知识产权政策
(二十六)鼓励企业进行集成电路布图设计专有权、软件著作权登记。支持集成电路企业和软件企业依法申请知识产权,对符合有关规定的,可给予相关支持。大力发展集成电路和软件相关知识产权服务。(二十七)严格落实集成电路和软件知识产权保护制度,加大知识产权侵权违法行为惩治力度。加强对集成电路布图设计专有权、网络环境下软件著作权的保护,积极开发和应用正版软件网络版权保护技术,有效保护集成电路和软件知识产权。(二十八)探索建立软件正版化工作长效机制。凡在中国境内销售的计算机(含大型计算机、服务器、微型计算机和笔记本电脑)所预装软件须为正版软件,禁止预装非正版软件的计算机上市销售。全面落实政府机关使用正版软件的政策措施,对通用软件实行政府集中采购,加强对软件资产的管理。推动重要行业和重点领域使用正版软件工作制度化规范化。加强使用正版软件工作宣传培训和督促检查,营造使用正版软件良好环境。

七、市场应用政策
(二十九)通过政策引导,以市场应用为牵引,加大对集成电路和软件创新产品的推广力度,带动技术和产业不断升级。(三十)推进集成电路产业和软件产业集聚发展,支持信息技术服务产业集群、集成电路产业集群建设,支持软件产业园区特色化、高端化发展。(三十一)支持集成电路和软件领域的骨干企业、科研院所、高校等创新主体建设以专业化众创空间为代表的各类专业化创新服务机构,优化配置技术、装备、资本、市场等创新资源,按照市场机制提供聚焦集成电路和软件领域的专业化服务,实现大中小企业融通发展。加大对服务于集成电路和软件产业的专业化众创空间、科技企业孵化器、大学科技园等专业化服务平台的支持力度,提升其专业化服务能力。

(三十二)积极引导信息技术研发应用业务发展服务外包。鼓励政府部门通过购买服务的方式,将电子政务建设、数据中心建设和数据处理工作中属于政府职责范围,且适合通过市场化方式提供的服务事项,交由符合条件的软件和信息技术服务机构承担。抓紧制定完善相应的安全审查和保密管理规定。鼓励大中型企业依托信息技术研发应用业务机构,成立专业化软件和信息技术服务企业。

(三十三)完善网络环境下消费者隐私及商业秘密保护制度,促进软件和信息技术服务网络化发展。在各级政府机关和事业单位推广符合安全要求的软件产品和服务。

(三十四)进一步规范集成电路产业和软件产业市场秩序,加强反垄断执法,依法打击各种垄断行为,做好经营者反垄断审查,维护集成电路产业和软件产业市场公平竞争。加强反不正当竞争执法,依法打击各类不正当竞争行为。

(三十五)充分发挥行业协会和标准化机构的作用,加快制定集成电路和软件相关标准,推广集成电路质量评价和软件开发成本度量规范。

八、国际合作政策
(三十六)深化集成电路产业和软件产业全球合作,积极为国际企业在华投资发展营造良好环境。鼓励国内高校和科研院所加强与海外高水平大学和研究机构的合作,鼓励国际企业在华建设研发中心。加强国内行业协会与国际行业组织的沟通交流,支持国内企业在境内外与国际企业开展合作,深度参与国际市场分工协作和国际标准制定。(三十七)推动集成电路产业和软件产业“走出去”。便利国内企业在境外共建研发中心,更好利用国际创新资源提升产业发展水平。国家发展改革委、商务部等有关部门提高服务水平,为企业开展投资等合作营造良好环境。
九、附则

(三十八)凡在中国境内设立的符合条件的集成电路企业(含设计、生产、封装、测试、装备、材料企业)和软件企业,不分所有制性质,均可享受本政策。

(三十九)本政策由国家发展改革委会同财政部、税务总局、工业和信息化部、商务部、海关总署等部门负责解释。

(四十)本政策自印发之日起实施。继续实施国发〔2000〕18号、国发〔2011〕4号文件明确的政策,相关政策与本政策不一致的,以本政策为准。

手机毫米波天线设计再突破:基于AiAiP的创新手机天线设计,兼容全面屏、60-GHz毫米波,与LTE天线!

毫米波科技于手机上的应用除了熟知的5G毫米波外,另一潜在的新兴应用便是60-GHz毫米波的运动(如:手势或头部动作)识别雷达。而显示屏是手机极为重要且显性的关键特点(feature),随着2017年而起的全面屏风潮,对现今主流手机而言,大屏或高屏占比的设计,早已成为标准的基本配置。然而,对于用户多数的手机无线操控运动,尤其是手势或头部动作,往往侦测的方向是需朝向显示屏前方,而此隐含着雷达天线的辐射方向图应是出屏面而朝用户的方向。而目前的主流设计为在显示屏上开设无金属遮挡的天线窗口(如:刘海notch)而在此窗口下放置60-GHz毫米波的AiP(antenna-in-package)方案(或直接采取非高屏占比的设计以可在非屏区下装设60-GHz毫米波的AiP模块);如此,雷达波束方可有较佳的辐射出屏面而朝向用户,以有助用户的无线操控体验。然而,此设计常会影响甚而阻碍手机高屏占比或是全面屏之设计,而显示屏的观感与体验却又如前所述往往是手机重中之重。故,如何于手机上兼容全面屏与60-GHz毫米波运动识别雷达便成为手机天线研究与设计的新热点课题。
近日,一篇去年由vivo移动通信公司天线预研团队投稿基于AiAiP [1][3]的手机毫米波天线创新设计以可兼容手机全面屏与60-GHz毫米波天线的研究文章[4]于今年的EuCAP(欧洲天线与传播会议)线上刊出,此创新设计不但有助于未来手机全面屏与60-GHz毫米波天线及LTE天线三者兼容设计的新思路拓展,且此设计亦纳入了手机的屏幕玻璃与玻璃粘胶对毫米波天线的覆盖,故更具实际的设计指导功用。

文章作者表示:“此研究的主要框架与思路起源于2018年下半年,于2019年投稿文章前已进行相关专利申请,而此设计理念秉承了先前同样地由此天线预研团队所提出的AiA [5][6]及AiAiP [1][3]思维,即把原先对天线设计为不利或制约因素的金属边框,转化为对天线设计有利而助益的天线载体,以可突破原先的设计限制,并兼容全面屏设计,而达到有效辐射的目的及更有竞争力的产品。因基于金属边框设计的毫米波天线的辐射方向要求需出屏面而朝向用户,但受限于有限的金属边框厚度及有限的机内堆叠空间,一般形式的天线设计方案[7][10]往往较难同时满足产品与辐射的需求,故此处方案为于金属边框上设计嵌入式(embedded)的H面扇形喇叭天线(H-plane sectoral horn antenna),以良好地复用狭窄的金属边框作为喇叭天线的边界金属(因H面的喇叭天线是平行沿着(而非正交于)金属边框进行长边开口,故无需增加金属边框的厚度,即不影响全面屏的可视区(active area),即A.A.区,的占比)并可得到所需的出屏面而朝用户的辐射方向图,且此60-GHz毫米波天线也进一步与金属边框的LTE天线进行嵌入式的集成设计,故此两类天线可共享金属结构而臻至更为紧凑且克服金属屏蔽的设计;此外,若整机条件允许,此设计亦可进行多处布局放置,以达用户更优的无线操控体验。于此抛砖引玉,望各位老师、学者专家,与朋友先进,惠予匡斧指导。”

下文主要为节录选取自前述发表的文章(略除细部尺寸与参数),以进行相关设计思路的分享。此设计与仿真为基于电磁仿真软件Dassault System Simulia CST 2018进行, 而如下图1所示,此手机外观为金属边框及正反两面皆为100%玻璃覆盖(而正面与背面外观皆相同)且为典型实际尺寸的模型。图中黄色部分为金属,蓝色部分为屏幕玻璃,而棕色部分为介电材质的包胶。而图2为当屏幕玻璃去除后的,手机内部正视图,由图2中可看出4个60-GHz毫米波天线(其中1个为发射天线,3个为接收天线)内嵌集成于金属边框中,且此金属边框同时也作为LTE低与高频的天线,屏幕的可视区(即A.A.区)对于手机整个正面的占比高于91.7%。而图3则为去除掉后盖玻璃的内部视图,在顶部与底部金属框各有两个T形开缝(外窄内宽),以利LTE天线的设计。而图1–3中的尺寸单位皆为毫米(mm)。

图4为对单一H-plane sectoral horn antenna设计时的倾斜背视布局图,其为内嵌于图中设为半透明的中段金属框内(此金属框同时亦为LTE低与高频天线),而左右两端的金属框,则可分别作为LTE中频与non-cellular 天线(如:GNSS或WiFi天线)。而图5则是此内嵌式H面的扇形喇叭天线的透视与放大图,灰色喇叭天线的内为介质填胶,粉色为沿着金属框与玻璃间的粘胶(adhesive tape)而图6显示了喇叭天线的馈入顶针及其位置。此外,因形成喇叭天线边界金属的自我屏蔽效果,故此设计天线对金属边框内侧的整机系统堆叠与布局可较不敏感,故可有较为稳定的天线性能,以可增加系统堆叠与布局设计的灵活度。

图7为基于图4喇叭天线的x方向中心线上的y–z面堆叠图,可知此设计考虑了毫米波天线附近环境中多种手机堆叠的相关实务因子,如屏幕玻璃、玻璃粘胶、显示屏体、主板,及T形断缝内与系统内部的填胶等。且基于AiAiP的设计,作为低与高频LTE天线的金属外框内侧也集成了源自AiP等[11][15]的package作为馈入部(feeding part),以减少毫米波的馈入路损;而辐射部(radiating part)则是基于AiA的集成式内嵌设计;故知AiAiP = AiA(辐射部)+ AiP的package(馈入部)。而图8则为LTE的天线设计,因全面屏对天线净空区(keep-out area)的挤压,为达到较佳的天线性能,此设计使用天线支架(antenna carrier),将LTE天线的一部分上抬离地[16]

图9为基于图4–图6的单个喇叭天线作为建构单元(building block)进行4个等距且相同的内嵌式喇叭天线布局透视图,P1’–P4’分别对应到4个喇叭天线的馈入端口,图10则为加上封装IC (如:RFIC与PMIC)载板及LTE天线支架的内侧视图,而IC载板上的P1–P4(此视角时,P4位置被LTE天线支架遮挡)分别是对应4个射频端口(来自4条RFIC所扇出的traces),此4个射频端口与前述金属边框上的4个喇叭天线的馈入端口P1’–P4’进行相对应连接而达射频能量的传送。而图11则为加上屏蔽罩与连接器的内侧视图(LTE天线支架此时隐藏以利阅图)。而此整体mockup的爆炸图如图12所示。

图13为图4单个喇叭天线在有及无玻璃与玻璃黏胶时两场景的仿真|Snn|性能对比图,可看出玻璃与玻璃粘胶对天线端口的反射性能有显著影响。当然,真实的手机设计是属有玻璃与玻璃粘胶之场景。而对于真实际场景(带有玻璃与粘胶)下的带宽(|Snn| ≤–6 dB)为56.84 GHz–65.18 GHz,故可覆盖常用的60-GHz运动识别频段(57.0 GHz–64.0 GHz)。图14则为图4单喇叭天线在有与无玻璃及玻璃黏胶两场景下的仿真天线总效率与仿真峰值实际增益(realized gain)的性能对比图,对于真实际场景(即带有玻璃与粘胶)而言,整个带内的天线效率高于–2.90 dB,而最高的天线效率值为–1.59 dB;而带内的峰值实际增益则高于3.0 dBi,最高的峰值实际增益值为5.61 dB。

图15为图4中单个喇叭天线(隐藏其中一半的喇叭天线结构)在有玻璃及玻璃黏胶时在φ= 90° 切面于57.0 GHz,60.0 GHz,与64.0 GHz三个频点(低、中,高频点)的电场分布图,可知随着频率增高,电场反向行为随之增加。图16则为图4中单个喇叭天线在有与无玻璃及玻璃黏胶两场景下于57.0 GHz,60.0 GHz,与64.0 GHz三个频点在φ= 90° 及θ= 90° 两切面上2D平行极化(co-pol.)与交叉极化(x-pol.)的仿真实际增益方向图(realized gain patterns)。而图17为单喇叭天线在有玻璃与黏胶覆盖及图18为单喇叭天线在无玻璃与黏胶覆盖此两场景下,于相同三频点且同尺度(scale)的仿真3D实际增益辐射方向图。由图16–图18显示,在有玻璃及玻璃黏胶的场景下,随着频率增加,辐射方向图愈分散;但在无玻璃及玻璃黏胶的场景下,辐射方向图的形状趋势并未随着频率增加而分散,故玻璃及玻璃黏胶的覆盖对天线的性能有显著的影响。

 

图19为图9中4个喇叭天线(为真实际场景下,即带有玻璃与玻璃粘胶)及图4中单个喇叭天线的仿真|Snn|性能对比图,可知五个天线端口的反射性能基本一致,而|Snn| ≤–6 dB的带宽为56.86 GHz–65.16 GHz,故可覆盖所需的60-GHz频段。而图20为此4个喇叭天线间的隔离度,而带内最差的隔离度高于27.57 dB。而图21与图22分别为在真实场景下(即有玻璃与粘胶覆盖)4天线喇叭天线与单个喇叭天线的天线效率与峰值实际增益的仿真对比图。于整个带内的4个喇叭天线的天线效率皆高于–3.08 dB,而最高的天线效率值为–1.59 dB;而带内的峰值实际增益则高于3.29 dBi,最高的峰值实际增益值为5.67 dBi。

下图23为上述4个喇叭天线于57.0 GHz,60.0 GHz,与64.0 GHz三个频点在φ= 90°及θ= 90°两切面上的2D平行极化与交叉极化仿真实际增益方向图。从图中可看出天线#1至天线#3的辐射行为甚为相近,但天线#4的辐射行为与天线#1–#3有所不同,主要是因为天线#4为靠近前述LTE天线的馈入结构,故天线#4的边界条件与其他3天线有所差别,但主瓣3-dB波束宽内的辐射行为,4个天线仍为接近。而图24则为天线#1至天线#4在57.0 GHz,60.0 GHz,与64.0 GHz的仿真3D实际增益辐射方向图,以有更直观的了解。

图25为当天线#1–天线#3此三性能相近的天线组成接收线形天线阵列(receiving linear antenna array)而同时进行等幅等相馈入时的仿真天线效率与峰值实际增益,而带内的天线效率高于–2.99 dB,而最高的天线效率值为–1.58 dB;而带内的峰值实际增益则高于7.10 dBi,最高的峰值实际增益值为10.27 dBi。图26为此线形阵列于57.0 GHz,60.0 GHz,与64.0 GHz三频点在φ= 90°及θ= 90°两切面上2D的仿真实际增益方向图;而图27则为此阵列在57.0 GHz,60.0 GHz,与64.0 GHz的仿真3D实际增益方向图。

图28为LTE低与高频天线的|Snn|及天线总效率,当|Snn| ≤ –6dB时,覆盖带宽为877 MHz–962 MHz及2273 MHz–2753MHz,故此LTE天线可涵盖LTE Band 8(880 MHz–960 MHz)、Band 40(2300 MHz–2400 MHz),与Band 41(2496 MHz–2690 MHz),若要进行不同低频段(如:LTE Band 17、Band 20,或Band 5等)的覆盖,则可加入电调(tunable)器件。而在目前LTE 低频(Band 8)和高频(Band 40与Band 41)带内最低的天线效率分别为–3.83 dB与–1.73 dB,故可良好地进行无线通信。此外,4个毫米波喇叭天线与LTE天线的隔离度高于24.86 dB。

最后,此文章于结论部分前瞻性地提出:“此设计可与先前发表的5G(第五代移动通信)毫米波AiA [5]或AiAiP [2]方案再进一步进行整合设计,即把LTE天线、5G毫米波天线阵列,及60-GHz毫米波天线三者集成于一体的三合一天线设计,以在可兼容手机金属框及全面屏的产品特点且达到良好的用户无线通讯与操控互动体验下,到达更紧凑与更有竞争力的产品设计。”

 

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毫米波天线集成技术研究进展

摘 要: 作为5G大规模多输入/多输出( MIMO) 的技术支持,毫米波天线集成技术是实现高分辨数据流、移动分布式计算等应用场景的关键技术。讨论了封装天线( AiP) 、片上天线( AoC) 、混合集成等毫米波天线集成技术发展状况、关键技术及其解决方案,剖析了几种典型集成天线技术,分析了技术发展脉络,总结了5G毫米波集成天线一体化技术的发展趋势。

比如:针对生命体征监测和姿势识别,IMEC开发了一款带有片上天线的140GHz FMCW雷达收发器。雷达的工作范围为0.15米至10米,分辨率为11毫米,射频带宽为13GHz,中心频率为145GHz,收发器IC采用28nm模块CMOS技术制造,可实现低成本的解决方案。
引 言

毫米波半导体是第五代移动通信技术( 5G ) 的基础器件,采用毫米波频率进行定向通信的技术是5G预期配置的关键技术之一。毫米波的频率范围为 30~300 GHz。目前研究的波段范围有 28 GHz频段、 38 GHz 频段、 60 GHz 频段和 E 频段( 71 ~ 76 GHz、 81~86 GHz) 。5G 技术将通信频段移向比第四代移动通信技术(4G) 高得多的毫米波频率。5G 的频谱带宽较 4G 会有 10 倍至 20 倍的提升,最高数据传输速率可以提高 20 倍,且天线阵列和基站设备的尺寸更小、成本更低。在毫米波频段中, 28 GHz 频段、 60 GHz 频段是最有希望应用于 5G 的两个频段。
作为收发 RF 信号的无源器件,天线决定了通信质量、信号功率、信号带宽、连接速度等通信指标,是通信系统的核心。如何增加频谱数据吞吐量是从 4G 到 5G 的重大挑战。5G 的关键技术为大规模多输入、多输出( MIMO )的集成毫米波天线技术。每一个 MIMO 信道有着自身的从接收天线、发射天线到微处理器的信号通路。接收信道的作用是实现从天线接收RF 信号到输入采样基带频率的下变频, 以及模数信号转换等功能。发射信道的功能是将上变频后的数字信号转换为模拟 RF 信号。缩小尺寸是 5G 天线的一个重要挑战。最小的基站天线尺寸将缩小到信用卡大小,这会增大毫米波天线及电路在集成度、低功耗和连接方面的要求。提升功率密度是 5G 天线的另一个重要挑战。
多天线系统集成是应对 5G 系统 MIMO 、缩小尺寸、提升功率密度等挑战的重点技术之一。由于 SiGe 和 CMOS RF 集成电路已经达到高的 fT、 fmax和高的集成密度,能采用 CMOS、 SOI 和 SiGe 工艺来设计大规模全集成硅毫米波相控阵电路。基于全 RF 结构、 8~32 元的发射( Tx ) 、接收( Rx ) 或收/发( T/ R) 模式已成功用于45~110 GHz频段。硅集成方案可以在同一芯片上集成多个元件。与 GaAs 和 InP 等 Ⅲ-Ⅴ族半导体技术相比较,硅基技术具有更高的集成度和更低的成本。硅相控阵芯片在毫米波领域中应用广泛。该项技术所面临的挑战是,在信号链单元上的RF 功率放大器、低噪声接收机放大器、 A/D 转换器或 D/A 转换器都需要很大的效率提升。
无线通信和传感器系统均可以通过 RF 系统提高集成度和采用新封装技术的方法来提高性能。目前实现前端电路和集成天线的方案有三种。第一种为天线封装( AiP ) 技术,天线采用 IC 封装工艺制作。第二种为芯片上天线( AoC) 技术,天线直接在 硅衬底上制作。第三种为 AiP 和 AoC 的混合技术,天线馈电点制作在芯片上,辐射元件在片外实现。AiP 技术中,芯片和天线的互连在某个频率范围内应该达到信号传输的有效效率,其主要的封装工艺有引线键合工艺和倒装芯片工艺。但是,器件在高频时的损耗较大,成本将升高。

1 相控阵接收机的结构

硅毫米波相控阵技术在 5G 通信中的应用范围不断扩大。多家公司采用 SiGe 和 CMOS 工艺来制作 IC,其工作频率已达 60~100 GHz。例如,北美丰田研究所研制了一种具有 RF 波束形成能力的 SiGe 单芯片汽车相控阵接收机[1],如图1 所示。
汽车相控阵接收机采用低成本的键合线技术进行封装,并与 16 元线性微带阵列连接。该天线在 77~ 81 GHz 频率的指向性为 29. 3 dB,增益为 28 dB,每步( 1°) 在方位角平面中能扫描到±50°。该芯片中,平面相控阵天线阵列间距只有0.5λ( λ=3. 75 mm,频率 80 GHz 以下) ,这个参数对于可用面积很小的毫米波电路尤其重要。这种相阵列需要尽可能多地在 SiGe 或者 CMOS 芯片上集成更多电路,不仅包括移相器和 VGA,而且包括全部的发射/接收电路、功率合成网络、数字与 SPI 控制、偏置电路,某些情况下还包括完整的上/下转换器。

图 1 毫米波汽车相控阵接收机
2 天线集成技术

目前, 60 GHz 封装的天线和片上天线均使用商用电磁仿真软件进行设计。对于混合解决方案,已开发出补充标准 IC 设计工具的建模方法,以实现引线键合与 IC 的协调集成。AiP 技术需要确保整体性能的IC与天线间的宽带低损耗互连设计。AoC 技术需要先进的后处理步骤或封装工艺,以减少严重的介电损耗。混合天线集成技术则融合了 AiP 和 AoC 的优势,可实现高辐射效率,无需芯片与封装的低损耗互连设计。但是,该方案的设计灵活性不高,且在宽侧方向上呈现辐射零点,阻止了其在某些场合的应用。

2. 1 AiP 技术
2. 1. 1 结构 

AiP 技术是将一元或多元天线集成到 RF 封装内的关键技术,其典型方案是采用集成电路封装工艺。在硅毫米波收发器中,封装内集成了天线阵列,有助于提供足够的信号增益,实现尺寸最小化。这种工艺是毫米波 RF 集成方案规模应用的关键技 术。例如,30 GHz 天线元的尺寸为毫米量级,在单个封装内需要采用新类型的天线阵列集成技术。具有光束转向功能的微小相控阵天线是毫米波无线电的关键器件[2]。为了在收发器封装内集成天线阵列,需要考虑芯片组装方案、阵列元和馈电网络、芯片与封装互连、封装材料等。如果收发器采用多层封装,需要在芯片与天线之间采用先进的互连技术,满足天线馈电插入损耗最小的要求。芯片可以放置 在封装正面,也可以放置在封装底部。
将芯片放置在封装底部的方案对芯片接收和发射的影响最小。一种可用于 5G 无线通信的有机芯片封装中的相控阵毫米波天线如 图2 所示。为了提高天线带宽、增益和辐射效率,在一个厚的覆板上放置了一个寄生平面结构,构成一个双贴片天线叠层。为了达到优化 RF 设计和制造的目标,对封装层叠片和低介电常数材料的参数作了优化选择,如表 1 所示。

图 2 有机芯片封装中的相控阵毫米波天线
表 1 天线阵列设计要求
2. 1. 2 设计与制造 

在 AiP 设计中,除了波束形成、信号放大和具有频率转换功能的相控阵 IC 外,具有极化特性的天线也是天线阵列的关键器件。在最早的硅基毫米波 IC 设计发展阶段,天线设计采用衬底、形状和成本与硅基毫米波 IC 兼容的技术[3]。目前,已有多种频率的硅衬底片上毫米波天线,但由于面积较大、发射效率有限,在 100 GHz 以上的天线才有研究价值。在 60 GHz 频率内,在液晶聚合物( LCP) 、有机高密度互连衬底、玻璃衬底、高/低温共烧陶瓷衬底、硅衬底和模制物料基晶圆级衬底等材料上制作的硅相控阵天线阵列已被报道。通常需要对 AiP 阵列的增益、带宽和辐射图形进行优化。同时,需要考虑衬底材料、阵列尺寸(即元件和贴片的数量) 、互连灵活性(如连接电源和控制信号) 、热性能与机械性能的相容性、 IC 组装和板集成等因素。
一种新的天线与 IC/载体结构如图 3 所示[4]。天线结构通过 PCB 板制作于厚度为 T 的介质衬底上,并悬空倒置,翻转在 IC/载体之上。IC 封装基的地也作为天线的镜像地,天线与地的间距为H。该结构中,天线与地板之间具有非常低的介电常数,天线结构之上有一层具有较高介电常数的覆板材料。在保持高天线效率的前提下,相比于标准 PCB 天线结构,这种堆叠结构具有更高的带宽。一个带有焊球的垫片可以放置在天线覆板的另一端,作为支撑。

图 3 天线与 IC/载体结构

AiP 设计中通常采用集成电路封装工艺进行封装,需要将天线与片上电路进行物理连接。低温共烧陶瓷( LTCC) 工艺可实现任意数量层的安装结构, 具有跨层过孔、层间形成开放腔或密闭腔(IC 可集成于此) 等灵活性。采用该工艺封装的毫米波天线越来越受到关注[5]。有些方案采用传统的键合线、 倒装芯片和 C4 焊接等工艺。例如, 60 GHz 硅相控阵芯片封装需要有芯片与天线间低损耗分布网络的多层毫米波衬底,必须是多层低损耗的 Teflon 基或 LTCC 基,成本昂贵。因此,典型的硅相控阵 AiP 可以达到 30 ~ 60 GHz 频率[6],达到 80 GHz 的难度更大。
较之 LTCC 封装方案,印刷电路板( PCB) 封装方案可以降低成本。有采用 PCB 等较低成本高频电路材料制成多层安装结构的封装方案,如RO3000系列和RO4000系列[7-8]的封装。还有采用液晶聚合物作为基板的低成本方案。但由于使用盲孔或埋孔,层的数量增多,会导致 PCB 技术的机械制造成本升高。另外, PCB 工艺在极高频段实现高密度化的难度增加,这将严重影响系统性能,导致效率降低。因此, LTCC 工艺是大多数多层结构阵列的选择,采用该工艺方案的天线性能有改善。

2. 2 AoC 技术
2. 2. 1 片上天线 

片上天线是采用片上金属化连线工艺集成制作的天线。在芯片上直接集成和组合天线的制作方法是太赫兹通信器件研究最少的领域之一。在当前技术条件下,由于衬底吸收和传导电流等原因,消除 RF 电路与天线间所有的连接会使得设计成本大幅 降低,设计更加灵活。传统观念认为,由于没有介电镜( Dielectric Lenses) 补偿结构,片上天线对于消费类的小功率器件并不是最佳结构。虽然典型片上天线的效率只能达到 10%,但如果能在片上设计并制造出亚毫米天线( 采用选频性质的表面[9]或者 Yagi 高方向性的天线[10]) ,则会带来成本大幅降低和设计灵活性大幅增加的优势,这会超过使用效率更高、但昂贵且复杂的片下天线的优势,从而增加了应用的可能性。
随着载波频率和带宽移向亚太赫兹,高宽带和高载波频率使得金属引线变得不稳定,片上天线被认为是替代印刷板上芯片金属互连的方法之一。除了片上天线,片上波导和硅穿孔( TSV) 波导也是亚太赫兹频段大带宽应用中替代金属连线的有前景的技术。片上天线的成功实现将会使得高集成度收发器、 60 GHz 空间电源组合和更高频率毫米波系统等众多应用受益。频率从 0. 9 GHz[11]到 77 GHz[12]的多种频率片上天线已有不少报道。德国高性能微电子研究所( IHP) 采用标准 SiGe BiCMOS 工艺,设计并制作了一种 130 GHz 的片上天线,峰值增益达到 8. 4 dBi。

2. 2. 2 CMOS 片上天线

CMOS 工艺是 RF IC 的一条重要发展途径。随着 CMOS 管特征频率( fT) 接近 400 GHz[14], CMOS 工艺在毫米波 IC 中得到进一步应用。文献[ 15]提 出了一种在 CMOS 芯片上集成人工磁导体和宽带窄槽天线的新方法,采用标准 CMOS 工艺实现了 60 GHz 下 2 dBi 的增益和大于126%的阻抗带宽。文献[ 16]采用 0. 18 μm CMOS 工艺,制作了一种 60 GHz 的圆极化环形天线,具有覆盖 57~67 GHz 的模拟和测量的轴向比( axial ratio, AR<3) 带宽,增益达 4. 4 dBi。文献[ 17]采用能制作阻抗带宽为25 GHz ( 45~70 GHz) 的器件的 Si CMOS 工艺,制作了一种 60 GHz 宽带的单极子天线,在 60 GHz 下实现了- 4. 96 dB 的增益。文献[18]提出了一种高增益( 8 dBi 最大增益) 和高效率( 96. 7%峰值天线效率) 的片上天线,采用 CMOS 0. 18 μm 工艺制作,天线的- 10 dB 带宽为 4 GHz。文献[19]采用 0. 18 μm CMOS 工艺,制作了一种 60 GHz 带宽的 CPW 馈电环形单极子天线。
通常,制作在掺杂硅衬底上的片上天线只有约10%的低效率。但若采用成本较高的封装天线,可实现比片上天线更高的效率。可采用容性耦合等先进连接技术,将成熟、低成本、较少掺杂的衬底上制作的天线芯片与有源 60 GHz 毫米波 RF 芯片连接起来,以实现比采用标准键合工艺的器件高得多的工作频率范围。天线可以用低成本的工艺( 如 0. 18 或 0. 35 μm) 和较低掺杂的衬底来制作,再通过容性耦合,连接到含60 GHz 功率放大器等有源元件上,而不采用更先进工艺[20]。一种通过容性耦合将天线芯片与有源 60 GHz RF 芯片连接的毫米波集成天线如图 4 所示。该天线不仅具有旧工艺的低掺杂浓度、高电阻率所致的低电导性、低损失衬底,而且具有更高效率。制作天线阵列时,低速有源开关( 如二极管) 可以集成到芯片上,采用分相位无源馈线来执行元件调谐、移相和波速控制。

图 4 通过容性耦合将天线芯片与有源 60 GHz RF 芯片 连接的毫米波集成天线
2. 3 混合集成毫米波天线 

混合集成毫米波天线就是采用专用工艺,将天线与前端 IC 集成在同一封装中。这种制作技术是纯 AiP 和 AoC 的替代技术。混合集成天线的示意图如图 5所示[21]。熔融石英衬底上的偶极天线的 一半安装在片上,另一半安装在片下。这种结构的天线可以直接连接到片上电子器件。在 60 GHz 全频段内,当增益为 6~8 dBi 时,芯片最大辐射效率可达 90%。

图 5 混合集成天线概念示意图
3 毫米波天线集成技术进展
3. 1 学术界发展情况 

物联网( IoT) 和 5G 要实现全面互联的目标,就需要开发不同毫米波频段的天线,并实现商业化量产。表2 总结了用于广域 IoT 和 5G 无线通信的近期文献中毫米波天线及其性能比较。可以看出,实用的解决方案仍然较少,多数方案仍然需要解决结构复杂、增益减少、效率低和功耗高等问题。
60 GHz 毫米波段器件将应用于5G 并量产化。片上系统或片上前端小型化系统集成的发展趋势要求在不牺牲辐射效率、带宽、增益的前提下,AoC器件、 AiP 器件的成本、尺寸和功耗必须向更小化方向发展。使用硅 IC 工艺提供了最大的集成度、低成本和低功耗,表明 GaAs 等Ⅲ-Ⅴ族化合物工艺并不一定是最佳选择,尤其是考虑封装、集成和互连问题时。

表 2 近期文献中 5G 毫米波天线及其性能比较

天线元件通常制作于片下,也可以被完整地集成在单个芯片上。硅衬底由于介电常数高、电阻率低,片上集成天线的增益很小、辐射效率很低,可以通过提高衬底的电阻率来改善性能。例如制作高性能低成本的 SoC 时,将天线和 IC 集成到高电阻率绝缘层上硅( HR SOI) 上。在 AiP 方案中,为解决毫米波频率下硅衬底上天线阵列的平面馈电器件插入损耗过大的问题,可采用将天线集成在附加基板上的混合集成创新技术,充分利用封装和在这种有限空间内的耦合可能性。该方案显现出较高的设计灵活性。
IBM 公司在过去的 14 年中发展了 RFIC 和 AiP 系列: 成像和通信应用的具有波束形成和波束扫描能力的性能驱动相控阵( 如 60 GHz、 94 GHz 和 28 GHz 相控阵) ,支持便携装置的 V-波段、W 波段和 Ka 波段毫米波模块( 如 60 GHz 单元件、开关波束模 块)[27]。
文献[ 28]提出一种多层 LTCC 基板上构建的线性极化6 GHz 天线阵列。这些阵列使用4×4 微带贴片辐射元件,分别由四分之一波长匹配的 T 型接头网络和 Wilkinson 功率分配器网络馈电。测量结果表明,由前者馈电的阵列比由后者馈电的阵列表现更好。对于带有和不带有嵌入式腔的阵列,测量的阻抗带宽分别为 9. 5%和 5. 8%,最大增益分别为 18. 2 dBi 和 15. 7 dBi。
文献[ 29]报道了一种在熔融石英基板上构建的线性极化 60 GHz 天线阵列。该阵列使用由馈电网络馈电的 2×4 微带贴片辐射元件,馈电网络使用了共面条带和共面条波导。通过金属腔增强的阵列实现了大于 9 GHz 的测量阻抗带宽和约15 dBi 的最大增益。
文献[ 30]提出一种采用 LTCC 工艺、具有 2×2 微带贴片辐射元件的天线阵列,制作出具有线性极化的 60 GHz 发射器模块。
文献[ 31]分别使用 1×8 和 2×5 微带贴片辐射元件,制作出两个有源线性极化60 GHz 天线阵列。
文献[ 32]提出了一种具有由波后波导网络馈电的槽辐射元件、线性极化 60 GHz 的天线阵列。
文献[ 33]提出了一种圆极化 60 GHz 的天线阵列,该阵列通过对原始天线元件、叠层波导、调整圆极化轴比进行精细设计,实现了宽带宽。
文献[ 34]提出了一种在 LCP 基板上制作的圆极化 60 GHz 天线阵列。该阵列采用了新的槽辐射元件和新颖的开腔反射器。测量结果表明, 2×4 辐射元件阵列的峰值增益为15. 6 dBic。

3. 2 商业化发展态势 

据 Gartner 预测,到 2021 年,市场将有 9% 的智能手机支持 5G 网络。5G 采用波束成形技术,必须采用多天线阵列系统( Massive MIMO) 。这将导致天线呈量级增长,并推动天线向高度集成化、复杂化的方向发展,工艺技术不断升级,新材料不断应用。例如,新型材料液晶高分子聚合物( LCP) 材料具有低损耗、高灵活性、高密封性等优点,非常适用于制作微波、毫米波器件。苹果公司推出的毫米波天线解决方案中包含采用 LCP 材料制作的天线,这是 5G 天线大规模商用化的一个重要方向[35]。高通公司 QTM052 毫米波天线模组系列支持紧凑封装尺 寸,适合于移动终端集成。配置 QTM052 的毫米波天线模组的终端将于2019 年上半年推向市场,显示出在 5G 中集成天线和 RF 前端等元器件的发展趋势。意法半导体公司、 STATS ChipPAC 和英飞凌科技公司在英飞凌第一代嵌入式晶圆级球栅阵列 ( eWLB) 技术的基础上,合作开发了下一代的 eWLB 半导体产品封装技术。目前已开发出具有8 mm×8 mm 封装的集成天线制作的四通道收发器。该天线采用 RDL 层中的金属结构,并集成于封装中,为在 5G 等毫米波领域应用的雷达系统封装提供了解决方案[36]。近期,中芯长电公司发布了 SmartAiPTM 工艺平台制作的世界首个超宽频双极化的 5G 毫米波天线芯片的晶圆级集成封装,具有集成度高、散热性好、工艺简练的特点,能够实现 24~43 GHz 的超宽频信号收发,达到 12. 5 dB 的超高天线增益。

4 结束语

在未来的较长时间里, 5G 架构将继续在网络、 无线访问和物理层不断发展,需要在 RF/ 毫米波集成电路、毫米波天线阵列技术等方面拥有多种创新型产品组合,从而推动 5G 无线电和产业化发展。例如, 5G 中功率放大器、天线、滤波器和匹配电路的数量可以高达 64 个或更多。这些组件在效率和集成度方面的提升对无线电的总体能效和性能十分重要。具有大量天线、频率为27 GHz 及以上的高集成度 MIMO 无线电是 5G 系统的关键技术。上述三种集成方案可用于毫米波天线设计。以 60 GHz 频段为例, AoC 器件的辐射效率和增益指标落后于 AiP 器件和混合方案。AiP 器件和混合器件实现了最佳辐射效率,因此可以认为选用 AiP 技术比选用 AoC 技术更合适。AiP 技术具有设计灵活性和印刷天线结构的优势,但对于复杂的多层封装结构,可能不具备与 AoC 技术和混合方案同等成本竞争的条件。此外, AiP 方案芯片到芯片的互连会导致热损失、延迟和设计量增加。混合方案似乎是最好的方案。但是,当频率超过 60 GHz 时,典型的混合技术、 AiP 都是不够成熟的方案。而 AoC 方案会更加完善,且已在 THz 波段进行了测试。据预期,AoC 方案在高频具有更大发展空间。
天线集成的一个根本解决方案是将一个相控阵所需的所有东西集成到一个芯片上,这是硅基毫米波天线系统的优势所在。不仅集成电子器件,而且集成通向晶圆级实现的高效率天线。晶圆级相控阵就可放置在输入/输出数据信号高达 Gbit/s、布置有控制器件和电源器件的低成本印刷电路板上。整个毫米波功能均集成于同一芯片上,这种晶圆规模的实现是一个完全自包含的解决方案。(参考文献略)

作者:王文捷,邱 盛,王健安,赖 凡